Technologie : l’avenir des mémoires flash passera par la superposition

En matière de semi-conducteur, la technologie habituelle consiste à réduire la gravure pour concentrer les transistors sur une surface donnée. Maintenant que certaines limites physiques sont atteintes, l’avenir passe par la 3D et la superposition des couches.

En annonçant le démarrage de la production en série des V-NAND, Samsung a lancé une petite révolution. En effet, ces premières puces de flash NAND verticales du marché permettent d’offrir de plus grandes capacités et de meilleures performances.

Avant ces V-NAND, la technologie actuelle consistait à réduire la gravure pour concentrer les transistors sur une surface donnée. Le seul souci est qu’en approchant le seuil des 1 nm, des limitations physiques apparaissent, comme les fuites de courant. Concrètement, cela signifie que les limites de cette technologie sont atteintes.

C’est à partir de là que les chercheurs de Samsung ont imaginé de répartir les transistors non pas à plat, mais en couches superposées. C’est pour cette raison qu’on parle de 3D Vertical NAND Flash ou de V-NAND.

Si Samsung produit pour le moment des puces à deux couches de 128 Go, cette technologie devrait permettre de superposer 24couches à terme, ce qui ouvre de nouvelles perspectives en matière de flash.

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